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消息面上，據深圳市國資委消息，由市屬國企深重投集團與市科技創新局聯合打造的國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱“國創中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破性進展。該國創中心在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項指標均達到國際領先水平，有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術瓶頸，可批量應用于大尺寸、高質量氮化鎵外延材料制備，為現有硅基氮化鎵技術路線提供了一種極具競爭力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發展和產業化進程奠定基礎。  

機構表示，隨著5G技術、汽車、無線通信、航天航空等技術的高速發展，電氣化程度的提高對耐高溫、耐高壓、高頻及大功率的性能有著迫切需求。氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體的代表之一，擁有寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高電子漂移速率等優點，制備出的氮化鎵器件導通電阻小、電子遷移率高、熱導性好而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優勢，可以極大地提升新興電力電子器件的性能，還能達到節省能源的效果。

天風證券指出，為獲得性能更優的氮化鎵器件以搶占市場份額，各大廠商正在在垂直型結構和提高集成度等方向上尋求技術突破。隨著氮化硅功率器件的性能及性價比的進一步提升，未來在高、中、低電壓場景下都將有很大的發展潛力，看好其在汽車電氣系統、大規模集成電路、無線通訊等領域的發展。