近期,中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)北京晶飛半導(dǎo)體科技在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破,成功利用自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備實現(xiàn)了12英寸碳化硅晶圓的剝離。該突破標(biāo)志著中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵制造裝備領(lǐng)域邁出重要一步,為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的降本增效提供了全新解決方案。
晶飛半導(dǎo)體表示,本次技術(shù)突破對碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有多重意義,主要包括:12英寸碳化硅晶圓相比目前主流的6英寸晶圓,可用面積提升約4倍,單位芯片成本降低30%—40%;解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術(shù)瓶頸,為全球碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┝嗽O(shè)備保障;打破了國外廠商在大尺寸碳化硅加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)壟斷,為我國半導(dǎo)體裝備自主可控提供了重要支撐;成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。
據(jù)了解,碳化硅是一種由碳和硅元素組成的化合材料,其獨特的物理特性包括耐高壓、耐高頻、高熱導(dǎo)性、高溫穩(wěn)定性、高折射率等特點,可作為諸多行業(yè)實現(xiàn)降本增效的關(guān)鍵性材料。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體從材料到器件的全鏈條性能優(yōu)勢顯著,兼具高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫等特點,正成為未來半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要方向。
碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域,其市場規(guī)模快速擴(kuò)張。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模為34.3億美元,預(yù)計2030年有望達(dá)到103.85億美元,2024—2030年的年復(fù)合增長率約20%。
隨著碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)突破,其材料優(yōu)勢正從傳統(tǒng)功率器件領(lǐng)域向半導(dǎo)體制造核心環(huán)節(jié)延伸。東方證券研報認(rèn)為,隨著英偉達(dá)GPU芯片的功率越來越大,將眾多芯片集成到硅中介層將導(dǎo)致更高的散熱性能要求,而如果采用導(dǎo)熱率更好的SiC中介層,其散熱片尺寸有望大幅縮小,優(yōu)化整體封裝尺寸。基于此,部分頭部公司已經(jīng)注意到碳化硅在中介層中的應(yīng)用潛力。此外,碳化硅也有望在散熱載板中得到應(yīng)用。
據(jù)證券時報·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計,A股中布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的個股共有42只,9月以來概念股以回調(diào)為主,平均下跌1.34%。其中,15股9月以來逆市上漲,天岳先進(jìn)、弘元綠能、德龍激光累計漲幅居前,分別達(dá)到23.38%、23.21%、17.34%。
天岳先進(jìn)半年報顯示,公司自成立以來即專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司是全球少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)、率先實現(xiàn)2英寸到8英寸碳化硅襯底的商業(yè)化的公司之一,也是率先推出12英寸碳化硅襯底的公司。
碳化硅概念股普遍注重研發(fā)創(chuàng)新,半年報數(shù)據(jù)顯示,42只概念股今年上半年研發(fā)費用合計達(dá)到105.05億元,24股研發(fā)費用同比去年實現(xiàn)增長,燕東微、英唐智控、北方華創(chuàng)研發(fā)費用同比增幅居前,分別達(dá)到221.21%、111.6%、52.74%。
燕東微在半年報中披露了上半年的研發(fā)成果,碳化硅領(lǐng)域方面,基于6英寸SiC生產(chǎn)線,持續(xù)提升工藝技術(shù)能力,小pitch MOSFET技術(shù)驗證版完成首輪產(chǎn)品流片,確認(rèn)工藝基限。公司上半年實現(xiàn)歸母凈利潤1.28億元,同比扭虧為盈。
部分碳化硅概念股獲得QFII的青睞,統(tǒng)計顯示,6股半年報前十大流通股東名單中出現(xiàn)QFII的身影,按6月30日收盤價計算,合計持股市值達(dá)到2.04億元,*ST華微、深圳華強(qiáng)、宇環(huán)數(shù)控獲得QFII持股市值居前,分別為0.87億元、0.47億元、0.22億元。
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校對:高源